| Tez Türü | Yüksek Lisans |
| Ülke | Türkiye |
| Üniversite | Gaziosmanpaşa Üniversitesi |
| Enstitü | Fen Bilimleri Enstitüsü |
| Anabilim Dalı | Fizik Ana Bilim Dalı |
| Tez Onay Yılı | 2007 |
| Öğrenci Adı ve Soyadı | Sadık ÖNAL |
| Tez Danışmanı | DOÇ. DR. GÜVEN ÇANKAYA |
| Türkçe Özet | Yarıiletken diyotların I V ? karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri,elektronik tasarımlarında önemli yer tutmaktadır. Çıg gibi büyüyen elektronik sanayisinde,degisik yöntemlerle malzeme parametrelerinin her geçen gün iyilestirilmesi veçesitliliginin artması, malzemelerin karakterizasyonlarından yapılan parametrehesaplamalarında yeni metodlar bulunmasının yolunu açmıstır. Bu hesaplamaların hepsiTermoiyonik Emisyon teorisine dayandırılmaktadır. Schottky diyot parametrelerininhesaplanmasında TE teorisini temel alarak literatürde çokca kullanılan Missous yöntemi,Norde Fonksiyonu ve Cheung fonksiyonları yardımıyla diyotun elektriksel parametrelerinihesaplaplayabiliriz. Ayrıca deneysel veriler yardımıyla deney aralıgını ANFIS iletanımlayıp bu deney aralıgında deneysel verileri alınmıs yada alınmamıs basınç degerleriiçin karakterizasyonun tüm degerleri için tahmin ettirebiliriz. Teorik olarak verilendenklemde basınç parametresi bulunmamasına ragmen bu çalısma ile hidrostatik basıncınetkisini kısmende olsa hesaplamaya dahil edilebilecegini göstermeye çalıstık.Anahtar Kelimeler: Metal-Yarıiletken Kontaklar, Elektriksel Özellikler, Hidrostatikbasınç, ANFIS |
| İlgilizce Özet | Semiconductor diode-parameters which are obtained by I V ? characteristics are veryimportant in electronic design. In rapidly developing electronic industry, the improvementsof material parameters by using various methods, hence the increasing of diversity provideto find new methods in parameter solutions, which is calculated from materialcharacterizations. All these calculations is based on Thermoionic Emission theory. We cancalculate electrical parameters of diode with the help of Missous method, Norde Functionand Cheung Functions which are greatly used in literature and based on TE theory.Additionally, working range of data can be defined by ANFIS by inserting experimentaldata and in this range we can find all values of characterization predicted for pressurevalues which having or no having experimental values. Theoretical equation is not consistof pressure parameters, although this study have showed effect of hydrostatic pressure, canbe included partially in calculations.Keywords: Metal-Semiconductor Contacs, Electrical Properties, Hydrostatic pressure,ANFIS |