Dört ton küçük işaret girişli GaN HEMT transistörün farklı sıcaklıklardaki asimetrik genlik değişimi
Yazarlar (3)
Doç. Dr. Levent GÖKREM
Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Türkiye
Türkiye
Prof. Dr. Remzi YILDIRIM
Gazi Üniversitesi, Türkiye
| Makale Türü |
Özgün Makale
|
| Makale Alt Türü | SSCI, AHCI, SCI, SCI-Exp dergilerinde yayınlanan tam makale |
| Dergi Adı | Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi |
| Dergi ISSN | 1300-1884 Wos Dergi Scopus Dergi |
| Dergi Tarandığı Indeksler | SCI-Expanded |
| Dergi Grubu | Q4 |
| Makale Dili | Türkçe |
| Basım Tarihi | 01-2010 |
| Cilt No | 25 |
| Sayı | 4 |
| Sayfalar | 779 / 786 |
| Makale Linki | https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/75816 |
| Özet |
| Bu çalışmada, GaN HEMT transistörün sıcaklığa bağlı analizi yapılarak Volterra güç serisi üçüncü dereceyekadar açılmış ve küçük işaret transfer fonksiyonları ($H _1, H _2, H _3$) elde edilmiştir. Birinci çekirdek küçük işarettransfer fonksiyonu (H1) kullanılarak 100K, 300K ve 600K sıcaklık değerlerinde dört-tonlu küçük işaretgirişinden elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenleri, geçit-kaynak (Gate source, Vgs) geriliminebağlı olarak analiz edilmiştir. Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1- 6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritikfrekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir. |
| Anahtar Kelimeler |
