AlGaN/InGaN/GaN Double Heterostructure Field-Effect Transistor
Yazarlar (10)
Prof. Dr. Salih SAYGI
Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Türkiye
| Makale Türü | Özgün Makale |
| Makale Alt Türü | SSCI, AHCI, SCI, SCI-Exp dergilerinde yayınlanan tam makale |
| Dergi Adı | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| Dergi ISSN | 0021-4922 Wos Dergi Scopus Dergi |
| Dergi Tarandığı Indeksler | SCI |
| Dergi Grubu | Q4 |
| Makale Dili | İngilizce |
| Basım Tarihi | 01-2001 |
| Cilt No | 40 |
| Sayı | 11 |
| Sayfalar | 1142 / 1144 |
| DOI Numarası | 10.1143/JJAP.40.L1142 |
| Özet |
| Novel, current collapse free, double heterostructure AlGaN/InGaN/GaN field effect transistors (DHFETs) are fabricated on the insulating SiC substrates. The simulations show that a combined effect of the bandgap offsets and polarization charges provides an excellent 2D carrier confinement. These devices demonstrate output RF powers as high as 4.3 W/mm in CW mode and 6.3 W/mm in the pulsed mode, with the gain compression as low as 4 dB. |
| Anahtar Kelimeler |
| GaN | HEMT | Heterostructure | HFET | InGaN | LP-MOCVD |
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
| Atıf Sayıları | |
| WoS | 108 |
| SCOPUS | 127 |
| Google Scholar | 175 |